製造商產品編號:
R6030JNZ4C13
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
R6030JNZ4C13-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
详细描述:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247G
庫存:
522 全新原裝現貨
13525632
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R6030JNZ4C13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
30A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
143mOhm @ 15A, 15V
Vgs（th） （最大值） @ Id
7V @ 5.5mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
74 nC @ 15 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2500 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
370W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247G
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
R6030
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
30
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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