R6009JNJGTL
製造商產品編號:

R6009JNJGTL

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

R6009JNJGTL-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
详细描述:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount LPTS

庫存:

1000 全新原裝現貨
13526555
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

R6009JNJGTL 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
9A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (最大值) @ Id
7V @ 1.38mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
645 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
125W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
LPTS
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
R6009

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
R6009JNJGTLCT
R6009JNJGTLDKR
R6009JNJGTLTR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
rohm-semi

RQ3E180GNTB

MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT

rohm-semi

RD3G500GNTL

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

rohm-semi

RXH125N03TB1

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP

rohm-semi

R6025ANZC8

MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF