製造商產品編號:
R6006ANDTL
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
R6006ANDTL-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 6A CPT
详细描述:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
庫存:
2350 全新原裝現貨
13080386
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R6006ANDTL 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Last Time Buy
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
460 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
40W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
CPT3
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
R6006
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
846-R6006ANDTLTR
R6006ANDTLDKR
R6006ANDTLTR
R6006ANDTLCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK5P60W,RVQ
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
9180
部件號碼
TK5P60W,RVQ-DG
單位價格
0.68
替代類型
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部件編號
IPD60R600P6ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
4899
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單位價格
0.51
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