製造商產品編號:
IMH4AT110
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
IMH4AT110-DG
描述:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
庫存:
12818165
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
IMH4AT110 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列，預偏置
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50V
電阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
-
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 1mA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大值）
500nA (ICBO)
頻率 - 過渡
250MHz
功率 - 最大值
300mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SC-74, SOT-457
供應商設備包
SMT6
基本產品編號
IMH4
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
IMH4AT110DKR
846-IMH4AT110TR
IMH4AT110CT
IMH4AT110TR
IMH4AT110-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
部件編號
RN1611(TE85L,F)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
325
部件號碼
RN1611(TE85L,F)-DG
單位價格
0.05
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
EMD30T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
UMD3NFHATR
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
PBLS4004V,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
