製造商產品編號:
HS8MA2TCR1
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
HS8MA2TCR1-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 9DFN
详细描述:
Mosfet Array 30V 5A (Ta), 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN3333-9DC
庫存:
710 全新原裝現貨
12967425
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HS8MA2TCR1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
5A (Ta), 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
320pF @ 10V, 365pF @ 10V
功率 - 最大值
2W (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerWDFN
供應商設備包
DFN3333-9DC
基本產品編號
HS8MA2
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
846-HS8MA2TCR1DKR
846-HS8MA2TCR1CT
846-HS8MA2TCR1TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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