製造商產品編號:
HS8K11TB
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
HS8K11TB-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
详细描述:
Mosfet Array 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
庫存:
1372 全新原裝現貨
13524843
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HS8K11TB 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
7A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.9mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
11.1nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
500pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-UDFN Exposed Pad
供應商設備包
HSML3030L10
基本產品編號
HS8K11
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
HS8K11TBDKR
HS8K11TBCT
HS8K11TBTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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