製造商產品編號:
HP8KE6TB1
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
HP8KE6TB1-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP
详细描述:
Mosfet Array 100V 6A (Ta), 17A (Tc) 3W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
庫存:
2475 全新原裝現貨
12787957
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HP8KE6TB1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel
FET 特性
Standard
漏源電壓 （Vdss）
100V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.7nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
305pF @ 50V
功率 - 最大值
3W (Ta), 21W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
供應商設備包
8-HSOP
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
846-HP8KE6TB1TR
846-HP8KE6TB1CT
846-HP8KE6TB1DKR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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