EMD3T2R
製造商產品編號:

EMD3T2R

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

EMD3T2R-DG

描述:

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

庫存:

13520841
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EMD3T2R 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列,預偏置
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 (Ic) (Max)
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)
50V
電阻器 - 基座 (R1)
10kOhms
電阻器 - 發射極基極 (R2)
10kOhms
直流電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce 飽和度(最大值) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
電流 - 集電極截止(最大值)
500nA
頻率 - 過渡
250MHz
功率 - 最大值
150mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
EMT6
基本產品編號
EMD3T2

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
8,000
其他名稱
EMD3T2RDKR
EMD3T2RTR
EMD3T2R-ND
EMD3T2RCT

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
PEMD3,115
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
4000
部件號碼
PEMD3,115-DG
單位價格
0.07
替代類型
Direct
部件編號
NSBC114EPDXV6T1G
製造商
onsemi
可用數量
7280
部件號碼
NSBC114EPDXV6T1G-DG
單位價格
0.05
替代類型
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