製造商產品編號:
EM6M1T2R
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
EM6M1T2R-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
详细描述:
Mosfet Array 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6
庫存:
13521832
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EM6M1T2R 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Not For New Designs
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V, 20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
100mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th） （最大值） @ Id
-
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
13pF @ 5V
功率 - 最大值
150mW
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
EMT6
基本產品編號
EM6M1
額外資訊
標準套餐
8,000
其他名稱
Q8377399
EM6M1T2RTR
EM6M1T2RCT
EM6M1T2RDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
DIGI 認證
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