DTA114YUAT106
製造商產品編號:

DTA114YUAT106

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

DTA114YUAT106-DG

描述:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3

庫存:

800 全新原裝現貨
13523566
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DTA114YUAT106 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 單一預偏壓雙極晶體管
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
PNP - Pre-Biased
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50 V
電阻器 - 基座 （R1）
10 kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
47 kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - 集電極截止（最大值）
500nA
頻率 - 過渡
250 MHz
功率 - 最大值
200 mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SC-70, SOT-323
供應商設備包
UMT3
基本產品編號
DTA114

資料表及文件

設計資源
UMT3 Inner Structure
可靠性文件
UMT3 DTR Reliability Test
數據表
DTA114YUA UMT3 T106 Taping Spec

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
DTA114YUAT106-ND
DTA114YUAT106TR
DTA114YUAT106DKR
DTA114YUAT106CT

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

部件編號
RN2311(TE85L,F)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
2610
部件號碼
RN2311(TE85L,F)-DG
單位價格
0.05
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單位價格
0.02
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certification_03
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cr
certification_015
certification_08
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