製造商產品編號:
BSS670T116
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
BSS670T116-DG
描述:
NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
详细描述:
N-Channel 60 V 650mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
庫存:
560 全新原裝現貨
12989117
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
BSS670T116 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
650mA (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
680mOhm @ 650mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 10µA
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
47 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
200mW (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SST3
包裝 / 外殼
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
846-BSS670T116TR
846-BSS670T116DKR
846-BSS670T116CT
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
相關產品
BSS138 RFG
50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
GT105N10K
MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
EPC2306
TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
