製造商產品編號:
2SD2096T114E
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
2SD2096T114E-DG
描述:
TRANS NPN 60V 3A HRT
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 8MHz 1.8 W Through Hole HRT
庫存:
13524737
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2SD2096T114E 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
3 A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
60 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
1V @ 200mA, 2A
電流 - 集電極截止（最大值）
10µA (ICBO)
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 500mA, 5V
功率 - 最大值
1.8 W
頻率 - 過渡
8MHz
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
HRT
供應商設備包
HRT
基本產品編號
2SD2096
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
2SD2096T114ECT
2SD2096T114EDKR
2SD2096T114EDKRINACTIVE
2SD2096T114ETR
2SD2096T114EDKR-ND
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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