製造商產品編號:
QJD1210SA2
Product Overview
製造商:
Powerex Inc.
零件編號:
QJD1210SA2-DG
描述:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
详细描述:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module
庫存:
12840189
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QJD1210SA2 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Powerex
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
Silicon Carbide (SiC)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
1200V (1.2kV)
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 100A, 15V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.6V @ 34mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
330nC @ 15V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
8200pF @ 10V
功率 - 最大值
415W
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Chassis Mount
包裝 / 外殼
Module
供應商設備包
Module
基本產品編號
QJD1210
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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