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製造商產品編號:
XP0621200L
Product Overview
製造商:
Panasonic Electronic Components
零件編號:
XP0621200L-DG
描述:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
庫存:
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12860162
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XP0621200L 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列,預偏置
製造商
Panasonic
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 (Ic) (Max)
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)
50V
電阻器 - 基座 (R1)
22kOhms
電阻器 - 發射極基極 (R2)
22kOhms
直流電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce 飽和度(最大值) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
電流 - 集電極截止(最大值)
500nA
頻率 - 過渡
150MHz
功率 - 最大值
150mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
SMINI6-G1
基本產品編號
XP0621
資料表及文件
HTML 資料表
XP0621200L-DG
資料表
XP0621200L
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
XP6212CT
XP0621200LTR
XP0621200LTR-NDR
XP6212TR
XP6212TR-DG
XP0621200LCT-NDR
XP6212CT-DG
XP0621200LDKR
XP6212-(TX)
XP0621200LDKR-NDR
XP0621200LCT
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
部件編號
RN1963(TE85L,F)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
3000
部件號碼
RN1963(TE85L,F)-DG
單位價格
0.05
替代類型
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