製造商產品編號:
RFD12N06RLESM9A
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
RFD12N06RLESM9A-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
详细描述:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
庫存:
2069 全新原裝現貨
12859791
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RFD12N06RLESM9A 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
UltraFET™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
18A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±16V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
485 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
49W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252AA
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
RFD12N06
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
RFD12N06RLESM9A-DG
RFD12N06RLESM9ACT
RFD12N06RLESM9ATR
RFD12N06RLESM9ADKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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