製造商產品編號:
NXV08B800DT1
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NXV08B800DT1-DG
描述:
MOSFET 80V APM17-MDC
详细描述:
Mosfet Array 80V Through Hole APM17-MDC
庫存:
12994117
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NXV08B800DT1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
80V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.46mOhm @ 160A, 12V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.6V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
502nC @ 12V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
30150pF @ 40V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C (TA)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
供應商設備包
APM17-MDC
基本產品編號
NXV08
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
10
其他名稱
488-NXV08B800DT1
環境及出口分類
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI 認證
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