製造商產品編號:
NVMYS2D2N06CLTWG
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NVMYS2D2N06CLTWG-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
详细描述:
N-Channel 60 V 31A (Ta), 185A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
庫存:
3000 全新原裝現貨
12857931
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NVMYS2D2N06CLTWG 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
31A (Ta), 185A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 180µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4850 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.9W (Ta), 134W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
LFPAK4 (5x6)
包裝 / 外殼
SOT-1023, 4-LFPAK
基本產品編號
NVMYS2
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
NVMYS2D2N06CLTWG-DG
488-NVMYS2D2N06CLTWGTR
488-NVMYS2D2N06CLTWGDKR
488-NVMYS2D2N06CLTWGCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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