製造商產品編號:
NVMFD5873NLT1G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NVMFD5873NLT1G-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
详细描述:
Mosfet Array 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
庫存:
12843921
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NVMFD5873NLT1G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
60V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30.5nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
供應商設備包
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
基本產品編號
NVMFD5873
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,500
其他名稱
2156-NVMFD5873NLT1G-488
NVMFD5873NLT1G-DG
NVMFD5873NLT1GOSDKR
NVMFD5873NLT1GOSCT
NVMFD5873NLT1GOSTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPG20N06S4L14AATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
29937
部件號碼
IPG20N06S4L14AATMA1-DG
單位價格
0.49
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單位價格
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單位價格
0.48
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