製造商產品編號:
NVMD6N03R2G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NVMD6N03R2G-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
庫存:
12847844
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NVMD6N03R2G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
950pF @ 24V
功率 - 最大值
1.29W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SOIC
基本產品編號
NVMD6
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
2156-NVMD6N03R2G-ONTR
ONSONSNVMD6N03R2G
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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