製造商產品編號:
NVH4L075N065SC1
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NVH4L075N065SC1-DG
描述:
SIC MOS TO247-4L 650V
详细描述:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 148W (Tc) Through Hole TO-247-4L
庫存:
450 全新原裝現貨
12979334
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
NVH4L075N065SC1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
38A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 15A, 18V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.3V @ 5mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs （最大值）
+22V, -8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1196 pF @ 325 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
148W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-4L
包裝 / 外殼
TO-247-4
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
450
其他名稱
488-NVH4L075N065SC1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
DMN10H220LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
NVTFWS070N10MCLTAG
PTNG 100V LL U8FL
DMT35M4LFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
