製造商產品編號:
NVH4L070N120M3S
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NVH4L070N120M3S-DG
描述:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
详细描述:
N-Channel 1200 V 34A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-4L
庫存:
13256104
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NVH4L070N120M3S 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
34A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
87mOhm @ 15A, 18V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.4V @ 7mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs （最大值）
+22V, -10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1230 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
160W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-4L
包裝 / 外殼
TO-247-4
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
488-NVH4L070N120M3S
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
NTH4L070N120M3S
製造商
onsemi
可用數量
422
部件號碼
NTH4L070N120M3S-DG
單位價格
5.81
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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