NVD5C648NLT4G
製造商產品編號:

NVD5C648NLT4G

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

NVD5C648NLT4G-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 89A (Tc) 3.1W (Ta), 72W (Tc) Surface Mount DPAK

庫存:

12857586
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

NVD5C648NLT4G 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
60 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
18A (Ta), 89A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.1V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
3.1W (Ta), 72W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DPAK
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
NVD5C648

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
NVD5C648NLT4G-DG
488-NVD5C648NLT4GCT
488-NVD5C648NLT4GTR
488-NVD5C648NLT4GDKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IPD90N06S4L05ATMA2
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2415
部件號碼
IPD90N06S4L05ATMA2-DG
單位價格
0.62
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
onsemi

NVMFS5885NLT3G

MOSFET N-CH 60V 10.2A 5DFN

onsemi

NVMFS5C460NLWFAFT3G

MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN

onsemi

NVR4003NT3G

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23

onsemi

SI4435DY

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC