製造商產品編號:
NVD5117PLT4G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NVD5117PLT4G-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
详细描述:
P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK
庫存:
12843051
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NVD5117PLT4G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
11A (Ta), 61A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
4.1W (Ta), 118W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DPAK
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
NVD511
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
NVD5117PLT4GOSCT
NVD5117PLT4GOSDKR
ONSONSNVD5117PLT4G
2156-NVD5117PLT4G-OS
NVD5117PLT4GOSTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
2000
部件號碼
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
單位價格
0.74
替代類型
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