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常見問題
製造商產品編號:
NTQD6866R2G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTQD6866R2G-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
详细描述:
Mosfet Array 20V 4.7A 940mW Surface Mount 8-TSSOP
庫存:
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NTQD6866R2G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.2V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 16V
功率 - 最大值
940mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包
8-TSSOP
基本產品編號
NTQD68
資料表及文件
HTML 資料表
NTQD6866R2G-DG
資料表
NTQD6866R2G
數據表
NTQD6866R2
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
NTQD6866R2GOS
2156-NTQD6866R2G
ONSONSNTQD6866R2G
2156-NTQD6866R2G-ONTR-DG
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 (MSL)
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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