製造商產品編號:
NTMSD6N303R2
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTMSD6N303R2-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
庫存:
12840046
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NTMSD6N303R2 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
FETKY™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
950 pF @ 24 V
FET 特性
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散（最大值）
2W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOIC
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
NTMSD6
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
2156-NTMSD6N303R2-ONTR-DG
ONSONSNTMSD6N303R2
NTMSD6N303R2OS
2156-NTMSD6N303R2
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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