製造商產品編號:
NTMD6N04R2G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTMD6N04R2G-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 40V 4.6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
庫存:
12859288
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NTMD6N04R2G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
40V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
900pF @ 32V
功率 - 最大值
1.29W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SOIC
基本產品編號
NTMD6
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
2156-NTMD6N04R2G-ONTR
ONSONSNTMD6N04R2G
NTMD6N04R2G-DG
NTMD6N04R2GOSTR
NTMD6N04R2GOSCT
NTMD6N04R2GOSDKR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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