製造商產品編號:
NTLJD3181PZTBG
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTLJD3181PZTBG-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
详细描述:
Mosfet Array 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
庫存:
12841617
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NTLJD3181PZTBG 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.8nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
450pF @ 10V
功率 - 最大值
710mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包
6-WDFN (2x2)
基本產品編號
NTLJD31
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
ONSONSNTLJD3181PZTBG
2156-NTLJD3181PZTBG-ONTR-DG
2156-NTLJD3181PZTBG
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
DIGI 認證
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