製造商產品編號:
NTLJD3119CTBG
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTLJD3119CTBG-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
详细描述:
Mosfet Array 20V 2.6A, 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
庫存:
15296 全新原裝現貨
12861022
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NTLJD3119CTBG 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
µCool™
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2.6A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
3.7nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
271pF @ 10V
功率 - 最大值
710mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年級
-
資格
-
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包
6-WDFN (2x2)
基本產品編號
NTLJD3119
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
=NTLJD3119CTBGOSCT-DG
NTLJD3119CTBGOSDKR
NTLJD3119CTBGOSTR
NTLJD3119CTBGOSCT
NTLJD3119CTBG-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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