製造商產品編號:
NTHL045N065SC1
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTHL045N065SC1-DG
描述:
SIC MOS TO247-3L 650V
详细描述:
N-Channel 650 V 66A (Tc) 291W (Tc) Through Hole TO-247-3
庫存:
386 全新原裝現貨
12979414
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
NTHL045N065SC1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
66A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.3V @ 8mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs （最大值）
+22V, -8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1870 pF @ 325 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
291W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
450
其他名稱
488-NTHL045N065SC1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
NVMFS4C308NT1G
TRENCH 30V NCH
DMN3300UQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
FDMT800150DC-22897
FET 150V 6.5 MOHMS PQFN88
