製造商產品編號:
NTHL041N60S5H
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTHL041N60S5H-DG
描述:
NTHL041N60S5H
详细描述:
N-Channel 600 V 57A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247-3
庫存:
166 全新原裝現貨
12966312
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NTHL041N60S5H 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
SuperFET® V
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
57A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.3V @ 6.7mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
5840 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
329W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
488-NTHL041N60S5H
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TSM60NB041PW C1G
製造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用數量
2485
部件號碼
TSM60NB041PW C1G-DG
單位價格
8.76
替代類型
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