製造商產品編號:
NTHL022N120M3S
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTHL022N120M3S-DG
描述:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
详细描述:
N-Channel 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Through Hole TO-247-3
庫存:
187 全新原裝現貨
13376046
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NTHL022N120M3S 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
-
包裝
Tube
零件狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
68A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 40A, 18V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.4V @ 20mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
139 nC @ 18 V
Vgs （最大值）
+22V, -10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3130 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
352W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
450
其他名稱
488-NTHL022N120M3S-ND
5556-NTHL022N120M3S
488-NTHL022N120M3S
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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