NTHD2102PT1G
製造商產品編號:

NTHD2102PT1G

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

NTHD2102PT1G-DG

描述:

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
详细描述:
Mosfet Array 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™

庫存:

12841087
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NTHD2102PT1G 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
8V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 2.5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
715pF @ 6.4V
功率 - 最大值
1.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SMD, Flat Lead
供應商設備包
ChipFET™
基本產品編號
NTHD21

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
NTHD2102PT1GOSTR
NTHD2102PT1GOS
=NTHD2102PT1GOSCT-DG
NTHD2102PT1GOSCT
NTHD2102PT1GOS-DG

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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