製造商產品編號:
NTH4L020N120SC1
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTH4L020N120SC1-DG
描述:
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
详细描述:
N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L
庫存:
436 全新原裝現貨
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NTH4L020N120SC1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
102A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.3V @ 20mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
+25V, -15V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2943 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
510W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-4L
包裝 / 外殼
TO-247-4
基本產品編號
NTH4L020
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
488-NTH4L020N120SC1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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