NTD600N80S3Z
製造商產品編號:

NTD600N80S3Z

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

NTD600N80S3Z-DG

描述:

MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
详细描述:
N-Channel 800 V 8A (Tj) 60W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

庫存:

2553 全新原裝現貨
12967146
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NTD600N80S3Z 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET® III
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
800 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
8A (Tj)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.8V @ 180µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
725 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
60W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252 (DPAK)
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
488-NTD600N80S3ZDKR
488-NTD600N80S3ZTR
488-NTD600N80S3ZCT

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IPD80R280P7ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
10179
部件號碼
IPD80R280P7ATMA1-DG
單位價格
1.23
替代類型
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DIGI 認證
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