製造商產品編號:
NTD3813N-35G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTD3813N-35G-DG
描述:
MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK
详细描述:
N-Channel 16 V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Through Hole IPAK
庫存:
12856765
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NTD3813N-35G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
16 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9.6A (Ta), 51A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12.8 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±16V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
963 pF @ 12 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
IPAK
包裝 / 外殼
TO-251-3 Stub Leads, IPak
基本產品編號
NTD38
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
75
其他名稱
2156-NTD3813N-35G-ON
ONSONSNTD3813N-35G
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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