製造商產品編號:
NTD18N06LT4G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTD18N06LT4G-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Surface Mount DPAK
庫存:
12858066
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NTD18N06LT4G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
18A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 9A, 5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±15V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
675 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 55W (Tj)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DPAK
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
NTD18
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
ONSONSNTD18N06LT4G
NTD18N06LT4GOSCT
2156-NTD18N06LT4G-OS
NTD18N06LT4GOS-DG
NTD18N06LT4GOSTR
NTD18N06LT4GOS
NTD18N06LT4GOSDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
1594
部件號碼
TK8S06K3L(T6L1,NQ)-DG
單位價格
0.42
替代類型
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