製造商產品編號:
NTC080N120SC1
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTC080N120SC1-DG
描述:
SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V
详细描述:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount Die
庫存:
12973508
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
NTC080N120SC1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
31A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.3V @ 5mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
+25V, -15V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1112 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
178W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
Die
包裝 / 外殼
Die
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
1
其他名稱
488-NTC080N120SC1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
NDP708AE
60A, 80V, 0.022OHM, N-CHANNEL MO
PJD9P06A_L2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD8NA50_R2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
