NTBGS002N06C
製造商產品編號:

NTBGS002N06C

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

NTBGS002N06C-DG

描述:

POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
详细描述:
N-Channel 60 V 30A (Ta), 211A (Tc) 3.7W (Ta), 178W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

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NTBGS002N06C 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Last Time Buy
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
30A (Ta), 211A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 45A, 12V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 225µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
62.1 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4620 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.7W (Ta), 178W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

資料表及文件

HTML 資料表
NTBGS002N06C-DG
資料表
NTBGS002N06C
數據表
NTBGS002N06C

額外資訊

標準套餐
800
其他名稱
488-NTBGS002N06CDKR
488-NTBGS002N06CTR
488-NTBGS002N06CCT

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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