NTBG160N120SC1
製造商產品編號:

NTBG160N120SC1

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

NTBG160N120SC1-DG

描述:

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
详细描述:
N-Channel 1200 V 19.5A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

庫存:

512 全新原裝現貨
12938396
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NTBG160N120SC1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 (Vdss)
1200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
19.5A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
224mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.3V @ 2.5mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
33.8 nC @ 20 V
Vgs (最大值)
+25V, -15V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
678 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
136W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
D2PAK-7
包裝 / 外殼
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
基本產品編號
NTBG160

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
800
其他名稱
488-NTBG160N120SC1TR
488-NTBG160N120SC1CT
488-NTBG160N120SC1DKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
G3R160MT12J
製造商
GeneSiC Semiconductor
可用數量
2358
部件號碼
G3R160MT12J-DG
單位價格
6.82
替代類型
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製造商
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部件號碼
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單位價格
12.44
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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