製造商產品編號:
NTBG1000N170M1
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTBG1000N170M1-DG
描述:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
详细描述:
N-Channel 1700 V 4.3A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
庫存:
736 全新原裝現貨
13255983
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NTBG1000N170M1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏源電壓 （Vdss）
1700 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4.3A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.43Ohm @ 2A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.3V @ 640µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
+25V, -15V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
150 pF @ 1000 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
51W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
D2PAK-7
包裝 / 外殼
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
488-NTBG1000N170M1TR
488-NTBG1000N170M1DKR
488-NTBG1000N170M1CT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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