NTB30N20G
製造商產品編號:

NTB30N20G

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

NTB30N20G-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
详细描述:
N-Channel 200 V 30A (Ta) 2W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount D2PAK

庫存:

12860103
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

NTB30N20G 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
30A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
81mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2335 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta), 214W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
D2PAK
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
NTB30

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
50

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STB30NF20
製造商
STMicroelectronics
可用數量
0
部件號碼
STB30NF20-DG
單位價格
0.91
替代類型
Direct
部件編號
STB30NF20L
製造商
STMicroelectronics
可用數量
0
部件號碼
STB30NF20L-DG
單位價格
1.14
替代類型
Similar
部件編號
STB40NF20
製造商
STMicroelectronics
可用數量
3000
部件號碼
STB40NF20-DG
單位價格
1.62
替代類型
Similar
部件編號
STB19NF20
製造商
STMicroelectronics
可用數量
0
部件號碼
STB19NF20-DG
單位價格
0.62
替代類型
Similar
部件編號
FQB34N20LTM
製造商
onsemi
可用數量
0
部件號碼
FQB34N20LTM-DG
單位價格
1.50
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
renesas-electronics-america

NP110N04PUK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3

onsemi

NTP082N65S3F

MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3

renesas-electronics-america

NP100P04PLG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 100A TO263

renesas-electronics-america

NP60N055VUK-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3