製造商產品編號:
NSBC144WDXV6T1G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NSBC144WDXV6T1G-DG
描述:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
庫存:
12856978
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NSBC144WDXV6T1G 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列，預偏置
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Last Time Buy
晶體管類型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50V
電阻器 - 基座 （R1）
47kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
22kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 5mA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大值）
500nA
頻率 - 過渡
-
功率 - 最大值
500mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
SOT-563
基本產品編號
NSBC144
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
2832-NSBC144WDXV6T1GTR
ONSONSNSBC144WDXV6T1G
2156-NSBC144WDXV6T1G-OS
2832-NSBC144WDXV6T1G-488
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
部件編號
RN1909FE(TE85L,F)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
3948
部件號碼
RN1909FE(TE85L,F)-DG
單位價格
0.04
替代類型
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0.02
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