製造商產品編號:
NJW21193G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NJW21193G-DG
描述:
TRANS PNP 250V 16A TO3P-3L
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-3P-3L
庫存:
6 全新原裝現貨
12859205
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NJW21193G 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
16 A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
250 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
4V @ 3.2A, 16A
電流 - 集電極截止（最大值）
100µA
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
20 @ 8A, 5V
功率 - 最大值
200 W
頻率 - 過渡
4MHz
工作溫度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包
TO-3P-3L
基本產品編號
NJW21193
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
NJW21193G-DG
NJW21193GOS
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
2SA1943N(S1,E,S)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
55
部件號碼
2SA1943N(S1,E,S)-DG
單位價格
0.96
替代類型
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