NDT01N60T1G
製造商產品編號:

NDT01N60T1G

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

NDT01N60T1G-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
详细描述:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)

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NDT01N60T1G 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
400mA (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.7V @ 50µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
160 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SOT-223 (TO-261)
包裝 / 外殼
TO-261-4, TO-261AA
基本產品編號
NDT01

資料表及文件

數據表
NDD01N60, NDT01N60

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
NDT01N60T1GOSCT
2156-DGT01N60T1G-ONTR-DG
NDT01N60T1GOSTR
NDT01N60T1G-DG
2156-NDT01N60T1G
NDT01N60T1GOSDKR
ONSONSNDT01N60T1G

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STN1HNK60
製造商
STMicroelectronics
可用數量
45248
部件號碼
STN1HNK60-DG
單位價格
0.37
替代類型
Direct
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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