製造商產品編號:
NDPL180N10BG
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NDPL180N10BG-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3
详细描述:
N-Channel 100 V 180A (Ta) 2.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
庫存:
12844161
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NDPL180N10BG 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
180A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 15V, 50A
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
6950 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度
175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
NDPL18
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
ONSONSNDPL180N10BG
2156-NDPL180N10BG
NDPL180N10BGOS
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK100E08N1,S1X
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
57
部件號碼
TK100E08N1,S1X-DG
單位價格
1.64
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