製造商產品編號:
NDF10N60ZG
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NDF10N60ZG-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
详细描述:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220FP
庫存:
12860536
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NDF10N60ZG 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 100µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1645 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
39W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220FP
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
NDF10
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
2156-NDF10N60ZG-ON
NDF10N60ZGOS
ONSONSNDF10N60ZG
NDF10N60ZG-DG
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK9A60D(STA4,Q,M)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
44
部件號碼
TK9A60D(STA4,Q,M)-DG
單位價格
0.77
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