製造商產品編號:
NDBA100N10BT4H
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NDBA100N10BT4H-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
详细描述:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
12856888
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NDBA100N10BT4H 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
100A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 50A, 15V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2950 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作溫度
175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
NDBA10
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
2156-NDBA100N10BT4H
2156-DGBA100N10BT4H-ONTR-DG
ONSONSNDBA100N10BT4H
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPB067N08N3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
5515
部件號碼
IPB067N08N3GATMA1-DG
單位價格
1.19
替代類型
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DIGI 認證
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