NDB6060L
製造商產品編號:

NDB6060L

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

NDB6060L-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:
N-Channel 60 V 48A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

庫存:

12858021
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

NDB6060L 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
60 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
48A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
±16V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
100W (Tc)
工作溫度
-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
NDB6060

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
800
其他名稱
NDB6060LCT-NDR
NDB6060LDKR
NDB6060LCT
NDB6060LTR-NDR
NDB6060LTR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
FDB13AN06A0
製造商
onsemi
可用數量
3920
部件號碼
FDB13AN06A0-DG
單位價格
0.85
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STB55NF06T4
製造商
STMicroelectronics
可用數量
0
部件號碼
STB55NF06T4-DG
單位價格
0.99
替代類型
Similar
部件編號
PSMN015-60BS,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
11707
部件號碼
PSMN015-60BS,118-DG
單位價格
0.51
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
onsemi

NVMFS6H800NT1G

MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN

onsemi

NVB5860NT4G

MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3

onsemi

NVR5198NLT1G

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3

onsemi

NTB18N06LG

MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK