MTD6N20ET4G
製造商產品編號:

MTD6N20ET4G

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

MTD6N20ET4G-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
详细描述:
N-Channel 200 V 6A (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK

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MTD6N20ET4G 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
480 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.75W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DPAK
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
MTD6N

資料表及文件

數據表
MTD6N20E

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
MTD6N20ET4GOS-DG
MTD6N20ET4GOSCT
MTD6N20ET4GOSTR
MTD6N20ET4GOS
MTD6N20ET4GOSDKR

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
FQD16N25CTM
製造商
onsemi
可用數量
33677
部件號碼
FQD16N25CTM-DG
單位價格
0.40
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certification_015
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