MJD253-1G
製造商產品編號:

MJD253-1G

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

MJD253-1G-DG

描述:

TRANS PNP 100V 4A IPAK
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 40MHz 1.4 W Through Hole I-PAK

庫存:

454 全新原裝現貨
12854340
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MJD253-1G 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic) (Max)
4 A
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)
100 V
Vce 飽和度(最大值) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
電流 - 集電極截止(最大值)
100nA (ICBO)
直流電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
功率 - 最大值
1.4 W
頻率 - 過渡
40MHz
工作溫度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包
I-PAK
基本產品編號
MJD253

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
75
其他名稱
MJD253-1GOS
MJD2531G
ONSONSMJD253-1G
2832-MJD253-1G
MJD253-1G-DG
2156-MJD253-1G-OS

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

替代模型

部件編號
MJD253T4G
製造商
onsemi
可用數量
2587
部件號碼
MJD253T4G-DG
單位價格
0.15
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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